IGBT缓冲保护电容器

1.什么是IGBT?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)-绝缘栅双极型电晶体，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT模组是由IGBT（绝缘栅双极型电晶体晶片）与FWD（续流二极体晶片）通过特定的电路桥接封装而成的模组化半导体产品；封装后的IGBT模组直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

IGBT模组具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模组化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模组；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

2.什么是吸收电容器?

在电子功率器件的应用电路中,都必须要设计缓冲电路,即为-吸收电路。吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型电晶体（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型电晶体的损坏。

适用于变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、轨道交通、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电新能源装备变流器等行业的“across-the-bus”功率线路设计及牵引传动等领域遍及所有IGBT模组区域尖峰电压的吸收保护。

3.IGBT吸收保护电容器

佳名兴在电子电路IGBT模组方面,推出高性能双面金属化聚丙烯膜缓冲吸收电容器-SMIT系列产品,该型号产品为针对IGBT模组而设计,电容器可直接安装在绝缘栅双极型电晶体(IGBT)模组上,容量由0.047uF至9.0uF,工作温度范围为-40℃至+110℃的环境下使用,可承受高脉冲和高锋值电流,可减少当切换IGBT所引起电压和电流尖峰,这类型的尖峰是电磁干扰的(EMI)的重要来源,下列为SMIT产品规范说明:

①主要用途：

广泛应用于IGBT缓冲吸收

电力电子设备中,开关器件断时的尖峰电压和尖峰电流之吸收保护

②特点：

损耗小,内部温升小

负电容量温度系数

优异的阻燃性能