功率电子器件的分类及用途：

【补充】半导体材料的发展：

第一代：Si、Ge等元素半导体材料，促进计算机及IT技术的发展，也是目前功率半导体器件的基础材料；

第二代：GaAs、InP等化合物半导体材料，主要用于微波器件、射频等光电子领域；

第三代：SiC、GaN等宽禁带材料，未来在功率电子、射频通信等领域非常有应用前景

功率电子器件的应用：

• 不控器件：典型器件是电力二极管，主要应用于低频整流电路；

• 半控器件：典型器件是晶闸管，又称可控硅，广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电路中，应用场景多为低频；

• 全控器件：应用领域最广，典型为GTO、GTR、IGBT、MOSFET，广泛应用于工业、汽车、轨道牵引、家电等各个领域

   

1. GTO：门极可关断晶闸管

2. GTR：电力晶体管

3. IGBT：绝缘栅双极性晶体管

4. MOSFET：金属氧化物半导体场效应晶体管

汽车领域及大部分工业领域目前最常用的全控器件，全控器件的基本应用场景可以用下边这张示意图概括

IGBT是个好东西！：

下边是来历！

上边介绍的几种全控器件，其中GTO是晶闸管的派生器件，主要应用在兆瓦级以上的大功率场合，咱们较少涉及，先讨论另外几种。

GTR（电力晶体管）：电路符号和普通的三极管一致，属于电流控制功率器件，20世纪80年代以来在中小功率范围内逐渐取代GTO。GTR同学特点鲜明，耐高压、大电流、饱和压降低是其主要优点；但是缺点也很明显，驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏，驱动电流大直接决定其不适合高频领域的应用。

MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：顾名思义，电场控制是他与GTR最明显的区别，特性是输入阻抗大，驱动功率小，开关速度快，工作频率高，是不是完美弥补了GTR的缺陷？那MOS能不能完全替代GTR呢？答案是不能，MOSFET典型参数是导通阻抗，直观理解，耐压做的越大，芯片越厚，导通电阻越大，电流能力就会降低，因此不能兼顾高压和大电流就成了MOS同学的短板，但别忘了，这是GTR的长处呀！

于是，混血儿IGBT诞生了

看他的简化等效电路图，是不是就明白什么了？

那么定义就来了，IGBT是以双极型晶体管为主导元件,以MOSFET为驱动元件的达林顿结构，是不是很巧妙！再看他的名字“绝缘栅场效应晶体管”就很好记了

IGBT特点：

• 损耗小，耐高压，电流密度大，通态电压低，安全工作区域宽，耐冲击；

• 开关频率高，易并联，所需驱动功率小，驱动电路简单，输入阻抗大，热稳定性好等；

• 应用领域正迅速扩大，逐步取代GTR、MOSFET的市场；